存儲(chǔ)業(yè)歷史一幕！長(zhǎng)江存儲(chǔ)向三星授權(quán)關(guān)鍵技術(shù)專利

　　近日，韓媒ZDNet Korea報(bào)道稱，三星將使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利技術(shù)，系歷史首次。

　　據(jù)悉，近期三星電子已與中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽署了開發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”(Hybrid Bonding)技術(shù)的專利許可協(xié)議，以便從其第10代(V10)NAND Flash產(chǎn)品(430層)開始使用該專利技術(shù)來(lái)進(jìn)行制造。

　　三星電子作為存儲(chǔ)芯片行業(yè)的領(lǐng)頭羊，從中國(guó)企業(yè)獲得專利授權(quán)比較罕見。

　　報(bào)道稱，三星之所以選擇向長(zhǎng)江存儲(chǔ)獲取“混合鍵合”專利授權(quán)，主要由于目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)在“混合鍵合”技術(shù)方面處于全球領(lǐng)先地位。

　　三星經(jīng)過(guò)評(píng)估認(rèn)為，從下一代V10 NAND開始，其已經(jīng)無(wú)法再避免長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利的影響。

　　與三星相比，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是一個(gè)后起之秀，2016年成立于武漢，至今不到10年。相對(duì)于快速搶市場(chǎng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)選擇把大部分精力放在了技術(shù)創(chuàng)新以及專利布局等工作上，不僅為推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步，更為了在專利戰(zhàn)中獲得勝利。

　　截至目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利申請(qǐng)數(shù)量超過(guò)1萬(wàn)件。2023年11月8日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以八件專利起訴美光之后，又在2024年7月追加了11件專利的起訴，兩案并案處理。長(zhǎng)江存儲(chǔ)向美光起訴專利侵權(quán)也有一定象征意義，不僅顯示出了自身技術(shù)的領(lǐng)先性，也體現(xiàn)出國(guó)內(nèi)企業(yè)在面對(duì)外界打壓的頑強(qiáng)性。

　　對(duì)于長(zhǎng)江存儲(chǔ)來(lái)說(shuō)，此次向三星這樣的頭部存儲(chǔ)技術(shù)大廠提供專利許可，屬于中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)歷史上的首次，充分凸顯長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力。

　　對(duì)于長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)外許可專利技術(shù)，您有什么看法呢?

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